Một cựu nhân viên Samsung bị Ṭa án Quận Seoul kết án 7 năm tù v́ tội ṛ rỉ công nghệ bán dẫn quan trọng của Hàn Quốc cho đối thủ.
Samsung gánh chịu tổn thất khổng lồ sau khi bị "tuồn" quy tŕnh sản xuất DRAM tiến tŕnh 18 nm. Ảnh: Wccftech.
Theo Chosun Ilbo và Yonhap News, Ṭa án Quận Seoul ngày 20/2, đă kết án Kim, một cựu quản lư cấp cao của Samsung 7 năm tù và phạt 200 triệu won do vi phạm Luật Bảo vệ Công nghệ Công nghiệp.
Cụ thể, Kim bị cáo buộc làm "ṛ rỉ" công nghệ quy tŕnh sản xuất DRAM tiến tŕnh 18 nm của Samsung – một công nghệ cốt lơi quốc gia – cho CXMT, nhà sản xuất bộ nhớ hàng đầu Trung Quốc.
Các công tố viên phát hiện ra rằng sau khi rời Samsung vào năm 2016, Kim đă gia nhập CXMT, lúc đó chỉ là một startup trong lĩnh vực bán dẫn. Người này đă bán ít nhất 7 công nghệ bán dẫn then chốt, trong đó có công nghệ lắng đọng lớp nguyên tử (ALD).
Theo các điều tra viên, Kim c̣n truy cập vào các bí mật thương mại từ đối tác của Samsung, bao gồm cả Eugene Technology và chuyển giao chúng cho CXMT.
Theo The Korea Herald, người này c̣n cố gắng thành lập doanh nghiệp tại Trung Quốc nhằm tạo điều kiện cho các thương vụ bán công nghệ tiếp theo. Kim và những người liên quan bị cáo buộc dụ dỗ khoảng 20 kỹ sư từ Samsung và các công ty liên kết, với lời hứa hẹn về mức lương sau thuế ít nhất 500 triệu won/năm.
Tuy nhiên, ṭa án chỉ giữ nguyên cáo buộc Kim về vi phạm bí mật thương mại. Trong khi đó, họ kết luận rằng công nghệ ALD của Eugene Technology không được xem là “công nghệ công nghiệp” theo định nghĩa của Luật Bảo vệ Công nghệ Công nghiệp Hàn Quốc.
Được thành lập vào năm 2016, CXMT đă nhanh chóng trở thành nhân tố quan trọng trong lĩnh vực bán dẫn của Trung Quốc.
Ngành DRAM toàn cầu hiện do Samsung, SK Hynix và Micron chiếm ưu thế, nhưng CXMT đang mở rộng nhanh chóng với chiến lược giá rẻ. Hiện tại, thị phần CXMT đă đạt 5% và dự kiến sẽ tăng lên 10% vào cuối năm.
VietBF@ sưu tập